【大国重器 硬核沈阳】拓荆科技：肃穆前行 深耕半导体斥地

发布日期：2025-03-11 12:03    点击次数：117

本文转自：东说念主民网-辽宁频说念

在芯片制造行业，有一种斥地和光刻机雷同进军，那等于薄膜千里积斥地。连年来，沈阳拓荆科技有限公司（以下简称拓荆科技）凭借PECVD、ALD等一系列先进的半导体薄膜千里积斥地，成为国内该边界的领头羊，引颈行业快速发展。

本年前三季度，拓荆科技出货金额同比增长向上160%，公司在手订单敷裕，将来新订立单趋势乐不雅。

聚焦主业

2010年，拓荆科技在沈诞生。公司诞生以来一直专注于高端半导体斥地边界，以国度级国外高脉络巨匠组建起一支国际化的时间团队，深耕薄膜千里积边界，迟缓酿成了三大类半导体薄膜斥地居品系列（PECVD斥地、ALD斥地及沟槽填充系列斥地），后续拓展了搀杂键合斥地。

“在公司诞生之初，依托国度科技要紧专项研制了12英寸PECVD斥地并推向商场，罢了了PECVD斥地的产业化愚弄。在此经过中，公司掌抓了PECVD薄膜千里积斥地的中枢时间，并积存了斥地居品从研发到产业化的考验。”拓荆科技董事长吕光泉先容。

经过十余年的翻新发展，公司PECVD、ALD、超精湛宽比沟槽填充CVD、搀杂键合等斥地居品不竭通过客户考证，进入客户量产线，并握住扩大宗产范畴。现在，拓荆科技在沈阳、上海和海宁有研发和产业化基地。沈阳一厂研发和坐褥基地年产能约300—350台套。拓荆科技现阶段正在策动沈阳二厂产业化基地的开发，为公司后续发展提供产能撑持。

成长机遇

“跟着数字化、自动化、智能化需求的波涛迭起，以东说念主工智能、物联网、智能驾驶等为代表的新兴产业翻新发展，对半导体芯片的性能和后果建议了更高的条件。”吕光泉说，濒临新兴商场需求的握住线路，高端半导体斥地产业需要持续迭代翻新，握住晋升居品质能，以显示商场关于更高性能、更低功耗、更小尺寸的集成电路的需求，同期，也产生了纷乱的半导体斥地商场空间。

在高端半导体斥地中，薄膜千里积斥地、光刻斥地、刻蚀斥地共同组成芯片制造三大中枢斥地，决定了芯片制造工艺的先进度度。薄膜千里积斥地所千里积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造经过中需求量纷乱，且胜利影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、千里积工序不同、性能酌量不同，相应产生了纷乱的薄膜千里积斥地商场。

“我国连年来在半导体斥地边界发展较快，但高端半导体斥地自给率仍较低，这也为包括拓荆科技在内的国内半导体斥地厂商的发展提供了纷乱的机遇。”吕光泉暗示。

研发参加

现在，拓荆科技锻真金不怕火居品的中枢时间及要津性能酌量均已达到国际同类斥地先进水平，并在客户端平凡愚弄，这与拓荆科技握住加鼎力度鞭策居品研发及产业化密弗成分。

2021年至2023年，拓荆科技研发参加在贸易收入中的占比区别为38.04%、22.21%和21.29%。2024年前三季度，拓荆科技研发参加4.81亿元，同比增长35.73%。

现在，拓荆科技依然掌抓了一系列具有自主常识产权的中枢时间，并达到国际先进水平。在薄膜斥地点面，公司中枢时间平凡愚弄于主贸易务居品中，措置了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜名义颗粒数目少、快速成膜、斥地产能自在高速等要津辗转，在保证罢了薄膜工艺性能的同期，晋升客户产线的产能，减少客户产线的坐褥本钱。在搀杂键合斥地点面，公司酿成了晶圆高速高精度瞄准时间、搀杂键合及时瞄准时间，罢了较高的晶圆键合精度，并提高了斥地产能。

据了解，收尾2024年6月30日，拓荆科技累计苦求专利1279项（含PCT）、得回专利402项。其中，拓荆科技本年上半年新增苦求专利74项（含PCT）、新增得回专利45项。